The Effect of SbI3 Doping on the Structure and Electrical Properties of n-Type Bi1.8Sb0.2Te2.85Se0.15 Alloy Prepared by the Free Growth Method

Wang, Xiaoyu; Yu, Yuan; Zhu, Bin; Gao, Na; Huang, Zhongyue; Xiang, Bo; Zu, Fangqiu (Corresponding author)

Warrendale, Pa : TMS (2017, 2018)
Beitrag zu einem Tagungsband, Fachzeitschriftenartikel

In: Journal of electronic materials
Band: 47
Heft: 2
Seite(n)/Artikel-Nr.: 998-1002

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