Electronic properties of my-Si : H layers investigated with Hall measurements

• Elektronische Eigenschaften von µc-Si:H-Schichten mittels Hall-Messungen

Bronger, Torsten; Wuttig, Matthias (Thesis advisor)

Aachen : Publikationsserver der RWTH Aachen University (2007)
Doktorarbeit

Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2007

Kurzfassung

Untersuchung der elektronischen Eigenschaften von dünnen Schichten aus mikrokristallinem Silizium. Temperaturabhängige Bestimmung der Beweglichkeit und der Ladungsträgerkonzentration der Elektronen in Schichten mit unterschiedlicher Dotierung und Kristallinität. Vorschlag eines Modells mittels Potentialbarrieren mit einer Höhenverteilung, um die Ergebnisse zu erklären.

Einrichtungen

• Fachgruppe Physik [130000]
• Lehrstuhl für Experimentalphysik I A und I. Physikalisches Institut [131110]