Phase-Change and Redox-Based Resistive Switching Memories
New York, NY [u.a.] / Institute of Electrical and Electronics Engineers (2015) [Fachzeitschriftenartikel]
Proceedings of the IEEE
Band: 103
Ausgabe: 8
Seite(n): 1274-1288
Autorinnen und Autoren
Autorinnen und Autoren
Wouters, Dirk J.
Waser, Rainer
Wuttig, Matthias
Identifikationsnummern
- DOI: 10.1109/JPROC.2015.2433311
- REPORT NUMBER: RWTH-2015-04210