Control of Schottky barrier height of Ag/Mn/n-GaAs(110) diodes with Mn interlayer thickness

Spaltmann, D.; Geurts, J.; Esser, N.; Zahn, D. R. T.; Richter, W.; Williams, R. H.

Bristol : IOP Publ. (1992)
Fachzeitschriftenartikel

In: Semiconductor science and technology
Band: 7
Heft: 3
Seite(n)/Artikel-Nr.: 344-346

Einrichtungen

• Fachgruppe Physik [130000]
• Lehrstuhl für Experimentalphysik I A und I. Physikalisches Institut [131110]