The influence of resistance drift on measurements of the activation energy of conduction for phase-change material in random access memory line cells

Melville, NY / AIP [u.a.] (2012) [Fachzeitschriftenartikel]

Journal of applied physics
Band: 112
Ausgabe: 8
Seite(n): 084506

Autorinnen und Autoren

Ausgewählte Autorinnen und Autoren

Oosthoek, J. L. M.
Krebs, D.
Salinga, M.
Gravesteijn, D. J.
Hurkx, G. A. M.

Weitere Autorinnen und Autoren

Kooi, B. J.

Identifikationsnummern