Sb-Se based phase-change memory device with lower power and higher speed operations

Yoon, Sung-Min; Lee, Nam-Yeal; Ryu, Sang-Ouk; Choi, Kyu-Jeong; Park, Young-Sam; Lee, Seung-Yun; Yu, Byoung-Gon; Kang, Myung-Jin; Choi, Se-Young; Wuttig, Matthias

New York, NY : IEEE (2006)
Fachzeitschriftenartikel

In: IEEE electron device letters : EDL
Band: 27
Heft: 6
Seite(n)/Artikel-Nr.: 445-447

Einrichtungen

  • Lehrstuhl für Experimentalphysik I A und I. Physikalisches Institut [131110]
  • Fachgruppe Physik [130000]

Identifikationsnummern