Influence of barrier thickness on AlInN/AlN/GaN heterostructures and device properties

Behmenburg, Hannes; Rahimzadeh Khoshroo, Lars; Eickelkamp, Martin; Mauder, Christof; Fieger, Michael; Ketteniß, Nico; Woitok, Joachim F.; Wamwangi, Daniel Muturi; Wuttig, Matthias; Estévez Hernández, Sergio; Schäpers, Thomas; Heuken, Michael; Vescan, Andrei; Kalisch, Holger; Jansen, Rolf H.

Weinheim : Wiley-VCH (2009)
Fachzeitschriftenartikel

In: Physica status solidi / C, Current topics in solid state physics
Band: 6
Heft: S2
Seite(n)/Artikel-Nr.: S1041-S1044

Einrichtungen

• Lehrstuhl für Experimentalphysik I A und I. Physikalisches Institut [131110]
• Lehrstuhl und Institut für Theoretische Elektrotechnik [611410]
• Fachgruppe Physik [130000]