Control of Schottky barrier height of Ag/Mn/n-GaAs(110) diodes with Mn interlayer thickness
Spaltmann, D.; Geurts, J.; Esser, N.; Zahn, D. R. T.; Richter, W.; Williams, R. H.
Bristol : IOP Publ. (1992)
Fachzeitschriftenartikel
In: Semiconductor science and technology
Band: 7
Heft: 3
Seite(n)/Artikel-Nr.: 344-346
Identifikationsnummern
- DOI: 10.1088/0268-1242/7/3/011
- RWTH PUBLICATIONS: RWTH-CONV-087244